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第1607章 多重曝光 (4 / 6)

作者:十月廿二 最后更新:2025/8/28 5:44:36
        “常院士请这边看。”

        陈列台上并非闪闪发光的成品芯片,而是整齐摆放着数十片晶圆。

        乍看之下,它们与刚才看到的完成镀膜的晶圆似乎并无太大区别。

        常浩南转向对方,等待着更进一步的说明。

        吴明翰拿起靠近他的一片晶圆,指着上面几处微小的、肉眼几乎难以分辨的重影区域:“这就是‘套刻误差’导致的报废。在多重曝光中,第一次曝光形成的图案和第二次曝光需要精确对准。哪怕只有几纳米的偏差,迭加后整个电路就失效了。”

        他放下这片,又拿起另一片,指着表面某些线条粗细明显不均的地方:

        “这是‘关键尺寸偏差’,多次曝光、显影、刻蚀的累积效应,导致不同区域的线宽无法保持一致,超出了规格极限。”

        他再拿起第三片:“这是‘显影缺陷’……工艺窗口太窄,稍有不慎,图案就毁了……”

        “……”

        他如数家珍般介绍着每一类报废的原因,语气平静,却像在展示一场场微缩战役的遗迹。

        “这些,都算是我们交的学费……不过,在EUV光刻机很可能无法获取的当下,这是我们唯一能看到的、通往更先进制程的技术途径。”

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