参观结束，一行人来到基地顶楼一间安保级别极高的专用会议室。
厚重的隔音门关闭，只剩下核心的几人。
短暂的沉默后，常浩南端起茶杯抿了一口，放下，目光直接投向吴明翰。
“吴院士，抛开继续优化多重曝光和分辨率增强技术这条路不谈，在现有的193nmArF光源条件下，要想提升单次曝光的分辨率，还有没有更直接的技术路径？”
手握负折射材料这么个王炸，那最根本的解决方案当然是走向表面等离子体光刻，由携带高频信息的倏逝波取代低频的传输波成像，直接掘了当前半导体生产体系的祖坟。
但这种事情相当于从零开始盖高楼，连理论基础都要重新来过，显然不是一朝一夕能完成的。
所以为了应对眼前随时可能出现的危机，最好还是能在现有基础上，整出来点短平快的升级手段。
吴明翰一直在思索常浩南的真正目的，但这个问题实在普通，深究不出什么东西来。
只好照常回答：
“在相同波长的光源下，不同型号光刻机，比如我们现在用的NXT:1950i和ASML更先进的NXT:2000i，它们性能差异的核心指标还是数值孔径（NA）和工艺系数。”
他拿起激光笔，在桌面投射出一个简易的光路示意图：
内容未完，下一页继续阅读