法尔特深吸一口气，缓缓开口，声音中透露出难以掩饰的激动：
“和黄所说的一样，他们构建的这套理论，描述了离子在固体中分布和停留，完全可以看作是这个领域的标准模型。
它描述了高能离子束轰击硅晶体时，离子在材料中的分布规律。理论的核心是离子能量损失的两种机制，也就是核阻止和电子阻止。
黄通过求传输方程，给出了离子在材料中的深度分布，它认为这样的分布近似于高斯分布。
哦天哪！他甚至还根据离子种类和能量，试图去精确计算离子平均的穿透深度和分布的方差。”
法尔特的手指在论文上划过，指向一幅高斯分布曲线，
“你们看这里，他们展示了掺杂剂在硅晶体中的深度分布，并用霍尔效应测量验证了结果，模拟与实验数据高度吻合。
只是受限于实验设备，他们的实验做的比较粗糙，最终离子注入的效果也不够好。
但他们的实验结果虽然不好，但实验结果和计算模拟的结果非常吻合！
不愧是黄，在理论物理上的造诣，有着大师级水准。”
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